晶圆可切割晶粒计算器 DPW(Die Per Wafer) Calculator

DPW是Die Per Wafer的缩略词,用于表征单个晶圆上可切割晶粒的数量。晶圆可切割晶粒数(DPW)的计算是非常简单的,它的计算实际上是与圆周率π有密切的关联。

晶圆上的晶粒其实可以看作是圆形所能容纳下的所有方形的集合。所以,可切割晶粒数的计算就是利用圆周率和晶圆尺寸作为已知参数,确定出整体圆形区域能容量下的方形数量。

晶圆尺寸和晶粒尺寸虽然是已知的,但是,由于晶粒相互之间是有空隙(如预留的划道)的,晶圆的边缘去除区也不可用。这些因素使得计算变得稍微有点复杂和棘手。因此,把DPW(Die Per Wafer)工具的计算结果作为可切割晶粒估算值而非精确的计算值可能更准确一点。

除了前面提到的无效区域外,晶圆厂还会额外占用部分区域做测试(PCM结构),相对而言也会占用晶圆一小部分面积。另外还有划道、晶圆裕量,以及因为各工序之间或晶圆厂之间要求不同而导致的测试结构大小不一致而浪费的区域。因此,如需精确的最终DPW数值应直接向晶圆厂询洽,他们具有更专业的方案提供DPW的准确数据。

我们这里提供Die We Wafer计算器,计算是基于以下公式:

dpw计算公式

DPW(Die Per Wafer) Calculator

晶圆可切割晶粒(DPW)计算器


请在下表中输入 晶粒的尺寸大小(长、宽) 以及垂直和水平方向划道(Saw Street/Scribe Lane)的宽度值。 由于晶粒产出数量取决于晶圆直径大小边沿去除区域大小(Edge Loss Area),输入相关参数后,晶粒产出数和布局图会自动刷新。 用户可勾选布局图居中 (裸芯片或者晶圆居中)。 利用Murphy Low的裸芯片产出数和缺陷密度模型,合格的良品裸芯片就会自动计算出并显示在右侧图上方。


划片参数设置

晶圆布局图

晶粒长度(mm) 🔗
晶粒宽度(mm)
水平划道宽度(mm) 🔗
垂直划道宽度(mm)
晶圆直径(mm)
边沿去除宽度(mm)
缺陷密度(#/sq.cm)
手工放片水平偏移修正
手工放片垂直偏移修正
裸芯片居中 / 晶圆居中 (已检查/未检查)
采用Murphy's 的产出模型估算晶圆裸芯片产出数量。




鼠标右键点击图片,选择“图片另存为……”或“复制图片”可保存/拷贝布局图
© 2022 英创力科技有限公司