化学机械抛光液|CMP Slurry
更高品质、更高性价比！
产品描述
化学机械抛光CMP(Chemical Mechanical Polishing)，亦作化学机械平坦化(Planarization)，是集成电路制造过程中实现晶圆平坦化的关键工艺。下图展示了晶圆层间平坦化前后的效果。
CMP的应用主要在集成电路生产的以下三个方面：1）衬底材料：所有的半导体材衬底片在出厂前均需要化学机械抛光。 2）芯片制造的前道制程：FEOL中的SiO2，Si3N4及多晶硅的阻挡层，SiO2/BPSG/PSG等层间介质ILD（Inner-layer dielectric）和Al/Cu/W等金属互联，逻辑器件的晶体管中的高k金属栅结构（HKMG-high k/Metal Gate structure）的平坦化等；3)先进封装：集成电路的小型化引领封装工艺的叠层化，金属键合面也需要CMP工艺确保晶圆的整体平坦化。不同制程对于去除速率、均匀性有不同的要求，因此需要用到不同的抛光液。
英创力科技代理分销的PS系列抛光液，对标世界一流抛光液的性能，能满足目前8-12寸大硅片的生产、再生硅片工艺的需求；同时提供满足FAB和封装厂不同制程节点所需的氧化物抛光液、钨抛光液、铜抛光液、硅通孔(TSV)铜抛光液。
产品系列
我们提供了基于硅制程的全制程CMP抛光液的解决方案。
| 抛光液类型 | 产品系列 | 产品优点 |
|---|---|---|
| 硅粗抛光液 | PSC01 | 应用于8-12吋大硅片及再生晶圆的粗抛光 |
| 高去除速率（Rate 0.8-1.0um/min）、循环性好 | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.7nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:20-1:40稀释使用 | ||
| 硅中抛光液 | PSZ08 | 应用于8-12吋大硅片及再生晶圆的中抛光 |
| 去除速率稳定（Rate 0.2-0.6um/min）、循环性好 | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.3nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:20-1:40稀释使用 | ||
| 硅精抛光液 | PSF3200 | 应用于8-12吋大硅片及再生晶圆的精抛光 |
| 低颗粒残留（12’wafer，40nmPA＜80ea，SP5） | ||
| 低表面粗糙度（12’wafer，Ra＜0.10nm，30um*30um，AFM） | ||
| 低Haze值（12’wafer，Haze＜0.08，SP5） | ||
| 低金属离子含量（Mn+总＜5ppm，ICP-MS） | ||
| 1:19稀释使用 | ||
| 氧化物抛光液 | PSO4000 PSO4500 PSO3000（高纯） |
PSO4000、PSO4500应用于28nm及以上技术节点集成电路栅极氧化层、牺牲层、绝缘层和层间介质材料的抛光 |
| 高去除速率（Rate 4000A/min@3Psi） | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.25nm，30um*30um，AFM） | ||
| PSO3000（高纯）为高纯氧化物抛光液，适用于更高技术节点 | ||
| 去除速率稳定（Rate 3000A/min@3Psi） | ||
| 金属离子含量低（M总n+≤5ppm） | ||
| 1:1稀释或者原液使用 | ||
| 钨抛光液 | PSW3007 | PSW3007应用于130nm及以上技术节点集成电路金属W的抛光 |
| 高去除速率（3000~4000A/min，可调） | ||
| 低表面粗糙度（Ra＜0.3nm，30um*30um，AFM） | ||
| 高选择比（RateW: RateTEOS=20~100可调） | ||
| 原液或者1:1稀释使用 | ||
| 铜抛光液 | PSCu7800 PSCu5700 （高纯） |
PSCu7800应用于28nm及以上技术节点集成电路Cu铜布线的抛光 |
| 高去除速率，对CMP压力敏感（8500A/min@1.95Psi，5000A/min@1.25Psi） | ||
| 高速率选择比（RateCu: RateTa：RateTEOS，700:0.2:1，可调） | ||
| 低表面粗糙度（12’wafer，Ra＜0.40nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:10稀释使用 | ||
| PSCu5700（高纯）金属离子含量低，更适用于先进制程 | ||
| 去除速率稳定，对CMP压力敏感（5700A/min@1.95Psi，3800A/min@1.25Psi） | ||
| 高速率选择比（RateCu: RateTa：RateTEOS，1800:1:1.5，可调） | ||
| 低表面粗糙度（12’wafer，Ra＜0.40nm，30um*30um，AFM） | ||
| 1:10稀释使用 | ||
| TSV Cu 抛光液 | PST13000 PST22000 |
PST13000应用于集成电路TSV Cu的抛光，高去除速率，低表面粗糙度，对Dishing控制能力强 |
| 高去除速率，对CMP压力敏感（13000A/min@2.2Psi，6000A/min@1.1Psi） | ||
| 低粗糙度（12’wafer，Ra＜2.0nm，30um*30um，AFM） | ||
| PST22000应用于集成电路TSV Cu的抛光，高去除速率，低表面粗糙度 | ||
| 高去除速率，对CMP压力敏感（22000A/min@2.2Psi，12000A/min@1.1Psi） | ||
| 低粗糙度（12’wafer，Ra＜2.5nm，30um*30um，AFM） |
产品优势
英创力科技提供的抛光液具有国内自主知识产权，可媲美国际主流厂商的性能。其高稀释比、稳定的抛光性能使得具有较高的性价比。
>> 高去除速率
>> 高稀释比
>> 高选择比
>> 高稳定性
>> 低雾值(haze)
>> 低缺陷
>> 更低成本
应用领域
PS系列的抛光液产品提供供硅材料的粗抛、中抛、精抛到氧化物抛光液，及铜、钨抛光液，覆盖了从半导体材料到FEoL到BEoL全方位的解决方案。
| 抛光液类型 | 产品系列 | 硅片生产 | 硅片再生 | FEOL 层间介质 |
FEOL 钨通孔 |
FEOL 铜制程 |
TSV | 封装CMP |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 硅粗抛光液 | PSC01 | ● | ● | |||||
| 硅中抛光液 | PSZ08 | ● | ● | |||||
| 硅精抛光液 | PSF3200 | ● | ● | ● | ||||
| 氧化物抛光液 | PSO4000 PSO4500 PSO3000 （高纯） |
● | ||||||
| 钨抛光液 | PSW3007 | ● | ||||||
| 铜抛光液 | PSCu7800 PSCu5700 （高纯） |
● | ● | |||||
| TSV Cu抛光液 | PST13000 PST22000 |
● |
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