碳化硅衬底|碳化硅晶片|Silicon Carbide Substrates|SiC Wafers
国际品牌、品质保障！
产品描述
以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料的高速发展，推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限，这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作，不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射器件的要求。因此下一代半导体材料呼之欲出，碳化硅(SiC)材料成为了第三代半导体材料的代表。碳化硅(SiC)单晶材料具有禁带宽度大(~Si的3倍)、高热导率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(~Si的2.5倍)、高击穿电场(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性。
SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。
第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子迁移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。
英创力科技可批量化为客户提供进口、国产的高质量导电(Conductive)、半绝缘（Semi-insulating）、HPSI（High Purity Semi-insulating）的碳化硅衬底片；此外可以为客户提供同质、异质碳化硅外延片；也能根据客户特定需求定制外延片，并不限起订量。
合作厂商
Work With Global Leading Brands
规格表
| Item项目 | Specifications参数 | |
|---|---|---|
| Polytype 晶型 |
4H -SiC | 6H- SiC |
| Diameter 晶圆直径 |
2 inch | 3 inch | 4 inch | 6inch | 2 inch | 3 inch | 4 inch | 6inch |
| Thickness 厚度 |
330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| Conductivity 导电类型 |
N – type / Semi-insulating N型导电片 / 半绝缘片 |
N – type / Semi-insulating N型导电片 / 半绝缘片 |
| Dopant 掺杂剂 |
N2 ( Nitrogen )V ( Vanadium ) | N2 ( Nitrogen ) V ( Vanadium ) |
| Orientation 晶向 |
On axis <0001> Off axis <0001> off 4° |
On axis <0001> Off axis <0001> off 4° |
| Resistivity 电阻率 |
0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N) |
0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N) |
| Micropipe Density(MPD) 微管密度 |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| TTV 总厚度变化 |
≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| Bow / Warp 翘曲度 |
≤25 μm | ≤25 μm |
| Surface 表面处理 |
DSP/SSP | DSP/SSP |
| Grade 产品等级 |
Production / Research grade | Production / Research grade |
| Crystal Stacking Sequence 堆积方式 |
ABCB | ABCABC |
| Lattice parameter 晶格参数 |
a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A , c=15.117A |
| Eg/eV(Band-gap) 禁带宽度 |
3.27 eV | 3.02 eV |
| ε(Dielectric Constant) 介电常数 |
9.6 | 9.66 |
| Refraction Index 折射率 |
n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
| Item 项目 |
Specifications 参数 |
|---|---|
| Polytype 晶型 |
6H-SiC |
| Diameter 晶圆直径 |
4 inch | 6inch |
| Thickness 厚度 |
350μm ~ 450μm |
| Conductivity 导电类型 |
N – type / Semi-insulating N型导电片 / 半绝缘片 |
| Dopant 掺杂剂 |
N2( Nitrogen ) V ( Vanadium ) |
| Orientation 晶向 |
<0001> off 4°± 0.5° |
| Resistivity 电阻率 |
0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N Type) |
| Micropipe Density(MPD) 微管密度 |
≤ 10/cm2 |
| TTV 总厚度变化 |
≤ 15 μm |
| Bow / Warp 翘曲度 |
≤25 μm |
| Surface 表面处理 |
Si Face: CMP, Epi-Ready C Face: Optical Polish |
| Grade 产品等级 |
Research grade |
We are coming soon!内容正在完善中！
可以提供4英寸、6英寸、8英寸的3C-SiC外延服务。以下为8英寸单晶、多晶在库现货
| Item No. | Item1 | Item2 | Item3 | Item4 | Item5 | Item6 | Item7 | Item8 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Epilayer | poly:3C-SiC | 3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC | poly:3C-SiC |
| Thickness (nm) ±10% | 330 | 300 | 300 | 350 | 450 | 530 | 250 | 200 |
| Thick. Uniformity (σ/mean) | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 | <4 |
| Doping Type | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped | undoped |
| Doping Level (cm-3) | NA | NA | NA | NA | NA | NA | NA | NA |
| RMS Roughness (nm) | 11 | 4 | 9 | 12 | 9 | 8 | 7 | 7 |
| Substrate | Si | Si | Si | Si | Si | Si | Si | Si |
| Orientation | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) | (100) |
| Offcut (°) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Wafer Diameter (mm) | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Doping Type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type | p-type |
| Dopant | B | B | B | B | B | B | B | B |
| Resistivity Min (Ω cm) | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| Resistivity Max (Ω cm) | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Thickness (µm) | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 | 600-700 |
| Surface Finish | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP | SSP |
可根据客户要求，定制不同厚度、抛光或者研磨等级不同的晶片。
我们的优势
- 广泛的国际化货源渠道
- 灵活的订货数量
- 深入的增值服务:减薄、外延、划片
应用领域
>> 金属-氧化物半导体场效应晶体管
(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)
>> 高温器件
>> 大功率器件
>> 高频器件
>> 高压器件
>> 光电子器件
>> GaN外延
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