砷化镓衬底|砷化镓晶片|砷化镓外延片|GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers| Galllium Arsenide Substrates
国际品牌、品质保障！
砷化镓（GaAs）是一种优良的半导体材料，具有禁带宽度大（direct band gap）、高迁移率（high electron mobility）、高频低噪音（high-frequency low noise）以及高转换率（high conversion efficiency）等突出的优点。
GaAs衬底分为导电片与半绝缘片两种，广泛应用于激光器（LD）、半导体发光二极管（LED）、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池板；雷达、微波、毫米波或者超高速计算机及光通信所需的HEMT和HBT芯片；无线通信、4G、5G、卫星通信、WLAN所需的射频器件。
近来，砷化镓衬底也在mini-LED、Micro-LED、红光LED方面取得较大进展，广泛应用于AR/VR可穿戴设备上。
英创力科技可提供数家进口砷化镓衬底，亦可根据客户需要提供国产导电、半绝缘双抛、单抛和双磨砷化镓晶片。
英创力科技还与国内、国际多家商业机构及研究机构开展了业务联营，基于MBE和MOCVD技术为客户提供从原型样品(Prototype)到小批量、商业化量产的GaAs外延代工业务，产品类型已覆盖：HMET、p-HMET、HALL、HBT、PD探测器、APD雪崩二极管、VCSEL等丰富的产品类型。
合作厂商
Working With Global Leading Manufacturers
衬底规格表
| Diameter 晶片直径 |
50mm | 75mm | 100mm | 150mm |
|---|---|
| Growth Method 生长方式 |
LEC 液封直拉法 VGF 垂直梯度凝固法 |
| Wafer Thickness 厚度 |
350 um ~ 625 um |
| Orientation 晶向 |
<100> / <111> / <110> or others |
| Conductive Type 导电类型 |
P – type / N – type / Semi-insulating |
| Type/Dopant 掺杂剂 |
Zn / Si / undoped |
| Carrier Concentration 载流子浓度 |
1E17 ~ 5E19 cm-3 |
| Resistivity at RT 室温电阻率(ohm•cm) |
≥1E7 for SI |
| Mobility 迁移率(cm2/V•Sec) |
≥4000 |
| EPD( Etch Pit Density ) 腐蚀坑密度 |
100~1E5 |
| TTV 总厚度变化 |
≤ 10 um |
| Bow / Warp 翘曲度 |
≤ 20 um |
| Surface Finish 表面 |
DSP/SSP |
| Laser Mark 激光码 |
|
| Grade 等级 |
Epi polished grade / mechanical grade |
可根据客户要求，定制不同厚度、抛光或者研磨等级不同的晶片。
外延规格表
可根据客户要求，定制不同结构、厚度的GaAs外延片，我们的外延规格和产品主要覆盖以下类型。
外延典型结构
我们的优势
- 广泛的国际化货源渠道
- 灵活的订货数量
- 深入的增值服务:减薄、外延、划片
应用领域
- VCSEL/HCSEL
- WLAN
- 4G/5G基站
- 太阳能
- 功率放大器PA
- Wi-Fi
- 微波器件
- Mini- & Micro-LED
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